7月中旬，印度政府批准了总额1.275万亿印度卢比，约合130多亿美元的“半导体2.0”（ISM 2.0）激励计划。印度半导体产业雄心再次升级，全球半导体产业的目光也再度聚焦新德里。从“1.0”时代的试探性布局，到“2.0”时代的全生态覆盖，印度试图在全球芯片供应链重塑的窗口期，完成从消费大国向制造与设计中心的转型。
今年以来，在印度政府的政策支持下，印度半导体行业释放出积极信号。
一是政策支持力度跃升。今年5月份，印度国家转型委员会（NITI Aayog）就发布了《印度半导体产业未来》路线图，其核心是放弃盲目追赶尖端制程，转而聚焦成熟制程晶圆制造、先进封装、系统集成及芯片设计，目标是成为全球半导体生态中“不可或缺的参与者”。与此战略相适应，6月底印度财政部正式提出，拟追加1.25万亿印度卢比资金用于推进“ISM 2.0”计划，7月15日内阁正式批准该计划，最终批准总额1.275万亿印度卢比资金。财政支持范围从“1.0”时代的晶圆制造和先进封装，扩大至半导体材料、特种化学品、制造设备、芯片设计和人才培养，从“点状激励”转向“系统支持”。
二是前期成果已经显现。“半导体1.0”（ISM 1.0）框架下，印度政府已批准了12个半导体制造项目，吸引投资达1.64万亿印度卢比，约合170亿美元。目前，有3座半导体工厂已投入商业运营，预计到今年年底有望增至5座。在设计领域，已有24个项目获得印度政府“设计挂钩激励计划”（DLI）的财政支持，105家企业获得资金。印度在芯片设计后端已具备一定的国际竞争力，人才红利正在转化为实际权益。
三是国际巨头纷纷入局。美光科技、英特尔等国际半导体头部企业相继宣布在印投资或合作，加快布局印度市场的步伐。在晶圆制造领域，英特尔与印度塔塔电子签署战略协议，成为该晶圆厂的首个主要客户。在封装测试领域，美光科技率先在古吉拉特邦萨南德建成封测基地，并于2026年投产；英特尔与美国科技企业3D Glass Solution公司合作，聚焦先进封装技术，在印度奥里萨邦投资约33亿美元建设玻璃基板制造工厂。在芯片设计领域，日本瑞萨电子聚焦车载级别与高性能计算芯片，在印度诺伊达和班加罗尔启动两座3纳米芯片设计中心；美国德州仪器公司将最小单片机芯片设计团队设在印度的班加罗尔。这些入驻的国际头部企业，覆盖了从半导体设计、制造到封装测试等多个环节，有助于印度本土半导体产业集群化发展。
尽管政策支持力度空前，但印度半导体产业结构性矛盾与执行层面的短板仍不容忽视，优质的产业生态建设和成熟的产业集群并非一帆风顺，也难一蹴而就。
一是进口依赖短期内难以改变。印度国家转型委员会的报告显示，印度半导体需求正以约19%的年均增速快速增长，但进口依赖度高达90%至95%。过去8年，印度在半导体产品进口上累计花费近1500亿美元。预计到2035年，印度国内需求将超过2000亿美元。这意味着，即便“ISM 2.0”能够如期推进，短期内印度仍然无法摆脱对外部代工厂的依赖。
二是财政激励效果有待观察。130多亿美元的政府拨款对印度来说规模不小，但相较美国《芯片法案》的520亿美元、欧盟芯片法案的约430亿欧元、日本政府对半导体“国家队”项目Rapidus提供的163亿美元，绝对规模并不占优势。同时，印度在水、电、土地供应稳定性，以及物流效率和行政审批效率等方面的营商环境常被诟病，可能削弱财政激励的实际效果。
三是战略务实隐含技术锁定风险。印度国家转型委员会的报告明确建议印度不参与全球最先进制程芯片的竞争，定位有利于快速形成产能和效益，不可谓不务实，但同时也可能导致印度未来被限制在半导体成熟制程的下游分工环节。一旦全球成熟制程芯片产能出现结构性过剩，印度重磅押注的晶圆厂、封测厂就可能面临低开工率与投资回报不足的风险。更何况印度目前已投产的半导体项目多为封测环节，真正的晶圆制造能力还在建设中，技术成熟度与供应链配套仍面临挑战。
可见，在“ISM 2.0”时代，印度政府选择放弃“全产业链覆盖”的幻想，转而争做“全球生态参与者”，并为半导体产业发展设计了“强化本土设计与研发、完善政策与投资单一窗口、聚焦优势环节、加快人才培养、深化国际合作”五大战略支柱，应当说路径务实、定位清晰，也契合当前印度的工业基础。
然而，政策执行力是最大变量。半导体产业回报周期长，历史上，印度在大型制造业项目中“政策落地走样”的并不少见，130多亿美元能否高效转化为实际产能，中央与地方协调效率、土地征用进度、水电等能源供应稳定性等都将成为影响最终结果的关键因素。特别是人才供给缺口能否缓解，印度政府计划中的“国家晶圆学院”能否尽快为本国培养出足够数量的半导体人才也有待观察。
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